門松貴

○政府参考人（門松貴君）　お答えいたします。 　半導体分野においては、先生御指摘のように、令和三年に５Ｇ法を改正いたしまして、先端半導体の国内製造拠点の整備や半導体サプライチェーンの強靱化、次世代半導体の製造技術の研究開発等に対して、令和三年度補正予算において約八千億円、令和四年度補正予算において約一兆三千億円を措置したところでございます。 　こうした予算を活用し、例えば、熊本県におけるＴＳＭＣ及びＪＡＳＭの先端ロジック半導体工場建設に対して最大四千七百六十億円、三重県におけるキオクシア等の先端メモリー工場の整備に対して最大九百二十九億円、そして広島県におけるマイクロンの先端メモリー工場の整備に対して最大四百六十五億円の支援を決定したところでございます。さらに、ラピダス社による次世代半導体の製造基盤構築に向けた研究開発プロジェクトに対して最大三千三百億円の予算を承認しておるなど、我が国

○政府参考人（門松貴君）　お答えいたします。 　済みません、この三千三百億円はラピダスです。

○政府参考人（門松貴君）　まだ未定でございます。状況を踏まえながら、しっかり事務方としても検討してまいりたいと思います。

○政府参考人（門松貴君）　お答えいたします。 　先生御指摘のＩＴ産業の多重下請構造でございます。 　ＩＴ利用者のニーズの多様化、プログラム言語等から生じる専門性、また一社だけでは必要な人員確保できない等々の理由から外注取引が積極的に利用されているということは事実でございまして、一定規模以上の開発では多重下請構造のサプライチェーンが形成されているというふうに認識をしております。 　こうした産業構造は、大手ＩＴ事業者にとってはユーザーの求めに応じたきめ細やかなシステム開発が対応できる、また下請サプライヤーにとっても安定的な受注の確保につながることなどから、一面においては業界全体がメリットがあるという指摘もあるんですが、一方で、先生御指摘のように、この産業構造が下請サプライヤーに対する買いたたきであったりとか仕様変更への無償対応要求といった下請法上の違反行為につながり得る懸念、これが生じて

○門松政府参考人　お答えいたします。 　先生御指摘の政府によるＬＥＤ普及のフローベースとストックベースの目標でございますが、過去のエネルギー基本計画におきまして、業務、家庭部門においては、高効率照明、例えばＬＥＤ照明であったりとか有機ＥＬ照明でございますが、これについては、二〇二〇年までにフローで一〇〇％、二〇三〇年までにはストックで一〇〇％の普及を目指すという目標を掲げるところでございます。 　また、普及率でございますが、これは日本照明工業会の統計がございまして、ＬＥＤ照明の普及率、二〇二三年三月時点においては、フローベースで九九・六％、ストックベースで五五・三％となってございます。

○政府参考人（門松貴君）　お答えいたします。 　基盤モデル開発、まさに先生御指摘のとおり重要だというふうに認識をしておるところでございます。 　まず、ＡＩに関する政府全体の方針につきましては、昨今の国内外における生成ＡＩの利用拡大、これを受けまして、有識者が参画するＡＩ戦略会議が新たに立ち上げられ、先日開催された第二回においては、ＡＩの利用やリスク対応、開発の促進など幅広い論点の議論がありました。 　経済産業省といたしましては、ＡＩの抱えるリスクも考慮しながら将来にわたってイノベーションを興していくことが重要だというふうに承知をしております。また、その中で、ＡＩ戦略会議や国際的な議論も踏まえつつ、ＡＩの利用を促すとともに、先生御指摘のとおり、基盤モデル等の開発能力、これを速やかに国内に醸成していかなければならないというふうに承知をしています。 　そのため、まずは昨年度の補正予算を活

○門松政府参考人　お答えいたします。 　先生御指摘のとおり、我が国の半導体産業でございますが、一九八〇年代は世界一の売上高を誇ってまいったものの、その後、競争力を落としてきたという歴史がございます。 　その要因の一つは、当時の政府が世界の半導体産業の技術の潮流を見極めることができなかった、また、諸外国が国を挙げて積極的な投資支援を行う一方で、我が国は適切かつ十分な政策を講じなかったことにあると認識をしておりまして、この点については真摯に反省しなければならないというふうに考えております。 　こうした背景を踏まえまして、経済産業省では、二一年六月に半導体・デジタル産業戦略を策定したわけでございますが、法律改正や大規模な財政支援を講じまして、例えば熊本のＪＡＳＭの新工場を始めとした複数の大規模国内投資、これを実現してまいりました。 　また、次世代半導体の量産化に向けまして、研究開発拠点の

○門松政府参考人　お答えいたします。 　まさに先生がおっしゃるとおりだというふうに思っております。日米の強みを生かして協力関係を構築することは極めて大事でございます。 　具体的な日米協力として、昨年五月に米国と合意をいたしました半導体協力基本原則に従いまして、双方の強みを生かす、その観点から、日米両国間で、次世代半導体の研究開発や人材育成、サプライチェーンの強靱化といったことについて、取組を現在進めておるということでございます。 　特に、次世代半導体プロジェクトでございますが、日米さらには欧州も含めた国際連携の象徴でございまして、ラピダス社が北海道千歳市における次世代半導体の製造拠点整備を発表してございます。二〇二〇年代後半をめどに、次世代半導体の製造基盤の確立に向けた着実な取組が進んでいるということでございます。 　今後とも、米国を始め海外の研究機関、産業界と連携しながら、我が国

○門松政府参考人　お答えいたします。 　半導体人材の育成、確保は非常に重要な論点であります。先生御指摘のとおりでございます。一方で、こうした高度な先端技術を扱う人材は一朝一夕に育てられるものではございません。産学官が一体となってその育成に取り組む必要があるというふうに認識をしております。 　経済産業省といたしましては、半導体人材の育成、確保に向けて、地域単位で、産学官連携による半導体人材育成コンソーシアムの設立を進めております。ラピダス社が量産拠点を整備する北海道においても、六月初旬をめどに設立する予定でございます。 　加えて、全国単位の取組としては、ラピダス社と両輪となって次世代半導体プロジェクトを進めている研究開発拠点のＬＳＴＣにおいて、次世代半導体の設計、製造を担うプロフェッショナル、グローバル人材の育成、これに取り組むべく、現在、外部有識者との検討を行っておるというところでご

○門松政府参考人　お答えいたします。 　ナノメートルレベルの非常に微細な加工を半導体は必要とするわけでございまして、僅かなちりやごみが付着しても性能を発揮できないということでございます。このため、各工程の終了後に入念な洗浄を行う必要がございまして、特に半導体の製造には数百から数千もの工程を要します。その都度洗浄が必要となるため、非常に多くの水を利用するということでございます。 　御指摘のように、半導体の製造のためには工程ごとに更に多種多様な化学物質を使用するわけでございますが、具体的には、シリコンウェハー上に薄い膜を生成する成膜工程において使用されるアンモニアなどの窒素化合物、また、ちりやごみを洗い流す洗浄工程において使用されるフッ素化合物などが挙げられるということでございます。